AlGaAs発光ダイオード

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：薄田利幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-050376
公開番号（公開出願番号）：特開平6-268250
出願日： 1993年03月11日
公開日（公表日）： 1994年09月22日
要約：

【要約】【目的】比較的簡単なエピタキシャル成長プロセスによって良好な物理的特性を有するLEDを製造すること。【構成】LEDチップを構成する複数のAlGaAs結晶領域(又は結晶層)のAlAs結晶比をチップ表面側(光放射側)がチップ裏面側より高く、かつ、隣接する結晶領域相互間(結晶層相互間)の界面においてチップ裏面側結晶領域の方がチップ表面側結晶領域よりも高くなるようなプロファイルに設定する。この場合、ヘテロ接合を構成する結晶領域は、両者の界面におけるチップ表面側結晶領域のAlAs結晶比がチップ全体を通して最も低くなるように設定することが望ましい。

請求項（抜粋）：

一導電型AlGaAs結晶からなる第一結晶領域、当該結晶領域と共にヘテロ接合を形成する逆導電型AlGaAs結晶からなる第二結晶領域及び当該結晶領域と同一導電型のAlGaAs結晶からなる第三結晶領域をチップ表面側(光放出側)から順次隣接して配設し、各結晶領域のAlAs結晶比(AlGaAs結晶中におけるAlAs結晶の割合)をチップ表面側の方がチップ裏面側よりも高く、かつ、隣接する結晶領域相互間の界面におけるAlAs結晶比をチップ裏面側結晶領域の方がチップ表面側結晶領域よりも高くなるようなプロファイルに設定したことを特徴とする発光ダイオード。

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