改善した酸素化学量論比およびジュウテリウム曝露を用いた光ファイバ製造方法および装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：岡部正夫 (外10名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-185481
公開番号（公開出願番号）：特開2003-026438
出願日： 2002年06月26日
公開日（公表日）： 2003年01月29日
要約：

【要約】【課題】ファイバおよび光ファイバを含む光ファイバ・システムの耐用年数にわたって、エージング損失または水素エージング損失が減少した光ファイバを製造する方法を提供すること。【解決手段】プリフォーム製造ステップ(42)の間の、ケイ素/酸素の化学量論比を改善して、光ファイバ・プリフォーム中に生成するSi欠陥を減少させる。また、プリフォームから線引きした光ファイバをジュウテリウムに曝して(44)、水素原子を引き付けて結合して分子を形成し、水吸収損失を増大させる一因となるSi欠陥などの原子欠陥を光ファイバ中に有する可能性を下げる。本発明の方法によって製造された光ファイバは伝送特性が改善される。本発明の光ファイバの1385ナノメートルでの伝送損失は、0.33dB/km未満であり、その後のエージング損失の増加は0.04dB/km未満である。

請求項（抜粋）：

光ファイバを製造する方法(10)であって、スート堆積によってガラス・コア・ロッドを形成するステップ(14)であって、ガラス・コア・ロッドがクラッド領域によって囲まれたコア領域を有するステップと、酸素を単独で含むか、または塩素含有ガス、フッ素含有ガス、および一酸化炭素の少なくとも1つとともに酸素を含む第1の環境中でガラス・コア・ロッドを脱水するステップ(16)であって、第1の環境が酸素過剰でも酸素不足でもないステップと、ガラス・コア・ロッドを固結するステップ(18)と、ガラス・コア・ロッドの周囲にオーバークラッド領域を形成して(24、26、28)、オーバークラッド光ファイバ・プリフォームを形成するステップと、オーバークラッド光ファイバ・プリフォームからファイバを線引きするステップ(22)と、線引きした光ファイバをジュウテリウムを含む雰囲気に曝すステップ(44)とを含む方法。

IPC (5件)：

C03B 37/027 , C03B 37/012 , C03B 37/014 , C03B 37/018 , G02B 6/00 356

FI (6件)：

C03B 37/027 A , C03B 37/012 A , C03B 37/014 Z , C03B 37/018 A , C03B 37/018 C , G02B 6/00 356 A

Fターム (6件)：

4G021BA04 , 4G021CA11 , 4G021EA01 , 4G021EA03 , 4G021EB21 , 4G021HA04

引用特許：

審査官引用 (5件)

水素誘導損の増加に対し、不活性化されたガラス光導波路
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-065409 出願人：エイ・ティ・アンド・ティ・コーポレーション
特開昭60-215538
特開昭62-187127

全件表示

前のページに戻る