特許
J-GLOBAL ID：200903039346029195
真空ろう付方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
横井 幸喜
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-242134
公開番号（公開出願番号）：特開平7-075869
出願日： 1993年09月03日
公開日（公表日）： 1995年03月20日
要約：
【要約】【目的】 真空炉内を汚染することなくAl合金と異種材料または異種材料同士を良好に真空ろう付する。【構成】 Al合金、Al合金ろう材のMg含有量を0.05%以下にし、表面の酸化皮膜厚さをろう付加熱前において200Å以下とする。上記ろう材を用いて、Al合金と異種材料又は異種材料同士を10-5Torr以下の真空下で加熱してろう付する。【効果】 ろうの流動性が向上し、Mg を含有させなくても良好にろう付を行える。Mgを含有しないので、Mgによる真空炉の汚染を避けることができ、ろう付品の表面光沢も向上する。
請求項（抜粋）：
不純物中のMg含有量を重量%で0.1%以下とし、かつ、ろう付部の酸化皮膜厚さをろう付加熱前において200Å以下としたAl合金ろう材を用いて、Al合金以外の異種材料と不純物中のMg含有量を重量%で0.1%以下とし、かつろう付部の酸化皮膜厚さをろう付加熱前において200Å以下としたAl合金とを10-5Torr以下の真空下で加熱してろう付することを特徴とする真空ろう付方法
IPC (4件)：
B23K 1/19
, B23K 31/02 310
, B23K 35/22 310
, B23K 35/28 310
