特許

J-GLOBAL ID：200903039346186355

半導体装置の製造方法

発明者： 柳田 敏治
出願人/特許権者： ソニー株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-252961
公開番号（公開出願番号）：特開2000-091315
出願日： 1998年09月07日
公開日（公表日）： 2000年03月31日
要約：

【要約】【課題】 微細で高アスペクト比の接続孔により、低抵抗で信頼性の高い層間接続を達成する。【解決手段】 接続孔7底部に露出する不純物拡散層5や下層配線4表面に形成された自然酸化膜等8を希ガスの放電プラズマによりスパッタリングして清浄化するに先立ち、絶縁膜が形成されたダミー基板をスパッタリングして、プラズマ処理装置の内壁に絶縁膜を付着させる。プラズマ処理装置内壁のプラズマアッシングを併用してもよい。この際、プラズマ処理装置内壁の絶縁抵抗値をモニタすることにより、より高精度の清浄化が可能となる。【効果】 プラズマ処理室内壁の絶縁抵抗値を常時高抵抗に保つことにより、プラズマ処理が安定化する。

請求項（抜粋）：

被処理基板上の導電層上に形成された層間絶縁膜に、前記導電層に臨む接続孔を開口する工程、前記接続孔底部に露出した前記導電層表面を、少なくとも希ガスの放電プラズマ処理により清浄化する工程、連続的に、少なくとも前記接続孔内に上層導電層を形成する工程を具備する半導体装置の製造方法であって、プラズマ処理装置の基板ステージ上に、少なくとも表面が絶縁膜で構成されたダミー基板を載置し、該ダミー基板に対し、少なくとも希ガスの放電プラズマ処理を施した後、前記清浄化工程を施すことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/3065 ,  H01L 21/768

FI (2件)：

H01L 21/302 N ,  H01L 21/90 A

Fターム (34件)：

5F004AA09 ,  5F004BA04 ,  5F004BA05 ,  5F004BA08 ,  5F004BA09 ,  5F004BA14 ,  5F004BA20 ,  5F004BD04 ,  5F004BD05 ,  5F004CB01 ,  5F004CB06 ,  5F004DA23 ,  5F004DA24 ,  5F004DA26 ,  5F004DB03 ,  5F004EA06 ,  5F004EB01 ,  5F004FA08 ,  5F033AA15 ,  5F033AA29 ,  5F033BA13 ,  5F033BA15 ,  5F033BA17 ,  5F033BA24 ,  5F033BA25 ,  5F033BA36 ,  5F033BA45 ,  5F033DA07 ,  5F033DA23 ,  5F033DA33 ,  5F033DA34 ,  5F033DA35 ,  5F033DA36 ,  5F033DA38