特許
J-GLOBAL ID:200903039349471492

半導体レーザ装置及びそれを用いた光ピックアップ

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 小池 隆彌 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-066601
公開番号(公開出願番号):特開2003-264332
出願日: 2002年03月12日
公開日(公表日): 2003年09月19日
要約:
【要約】【課題】 本発明は、生産性に優れ、光軸調整等の位置調整が容易な半導体レーザ装置及びそれを用いた光ピックアップを提供することを目的とする。【解決手段】 絶縁性枠体11の内部に少なくとも半導体レーザ素子1と受光素子5とが搭載され、絶縁性枠体11の二面で外部から内部にかけてそれぞれ複数配置されたリード10を備えて構成され、絶縁性枠体11は、半導体レーザ素子1の搭載面30と平行な外面61を備えた構成の半導体レーザ装置とする。
請求項(抜粋):
絶縁性枠体の内部に少なくとも半導体レーザ素子と受光素子とが搭載され、前記絶縁性枠体の二面で外部から内部にかけてそれぞれ複数配置されたリードを備えて構成され、前記絶縁性枠体は、前記半導体レーザ素子の搭載面と平行な外面を備えることを特徴とする半導体レーザ装置。
IPC (5件):
H01S 5/022 ,  G11B 7/08 ,  G11B 7/125 ,  G11B 7/135 ,  H01L 31/12
FI (5件):
H01S 5/022 ,  G11B 7/08 A ,  G11B 7/125 A ,  G11B 7/135 A ,  H01L 31/12 E
Fターム (33件):
5D117AA02 ,  5D117CC07 ,  5D117HH01 ,  5D117KK01 ,  5D119AA03 ,  5D119AA38 ,  5D119CA09 ,  5D119FA05 ,  5D119FA24 ,  5D119FA28 ,  5D119FA33 ,  5D119LB04 ,  5D119MA02 ,  5F073AB25 ,  5F073AB27 ,  5F073BA05 ,  5F073EA29 ,  5F073FA02 ,  5F073FA06 ,  5F073FA28 ,  5F073FA29 ,  5F073FA30 ,  5F089BA04 ,  5F089BB03 ,  5F089BC11 ,  5F089BC21 ,  5F089BC22 ,  5F089CA20 ,  5F089EA01 ,  5F089EA04 ,  5F089GA01 ,  5F089GA05 ,  5F089GA10
引用特許:
審査官引用 (3件)

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