特許

J-GLOBAL ID：200903039357600684

酸化物セラミックス薄膜の配向制御方法

発明者： 岩下 節也 ,  樋口 天光 ,  宮澤 弘
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 上柳 雅誉 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-348505
公開番号（公開出願番号）：特開2002-155377
出願日： 2000年11月15日
公開日（公表日）： 2002年05月31日
要約：

【要約】【課題】 酸素を含む熱プラズマを用いた金属上への酸化物セラミックス薄膜製造において、酸化物セラミックス薄膜の配向制御方法を提供する。【解決手段】 プラズマフレーム105中に基板106を配置し、かつ該基板を所望の位置に合わせこむことによってPt上で酸化物セラミックス薄膜の配向を制御する。

請求項（抜粋）：

少なくとも酸素を含む熱プラズマを用いた金属上への酸化物セラミックス薄膜の配向制御方法であって、基板がプラズマフレーム内に配置されるように該基板を位置合わせすることを特徴とする酸化物セラミックス薄膜の配向制御方法。

IPC (4件)：

C23C 26/00 ,  C23C 16/40 ,  C23C 16/507 ,  H05H 1/46

FI (5件)：

C23C 26/00 C ,  C23C 26/00 D ,  C23C 16/40 ,  C23C 16/507 ,  H05H 1/46 L

Fターム (17件)：

4K030AA11 ,  4K030AA14 ,  4K030AA16 ,  4K030BA18 ,  4K030BA22 ,  4K030BA42 ,  4K030CA02 ,  4K030FA01 ,  4K030JA02 ,  4K030JA05 ,  4K030LA11 ,  4K044AA06 ,  4K044AB02 ,  4K044BA12 ,  4K044BB01 ,  4K044BC14 ,  4K044CA34