特許

J-GLOBAL ID：200903039363424243

半導体ウェーハ処理システムの複数のパラメータを用いてプロセスを監視する方法及び装置

発明者： ジェームズ ピー. クルーズ
出願人/特許権者： アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 長谷川 芳樹 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-167642
公開番号（公開出願番号）：特開平11-087323
出願日： 1998年05月12日
公開日（公表日）： 1999年03月30日
要約：

【要約】【課題】 複数のプロセスパラメータを使って半導体ウェーハ処理システム内のプロセス監視を行う方法及び装置を提供する。【解決手段】 本装置は、エッチングプロセスの終点検出及びチャンバ内の他の特性の検出が正確に行われるように、複数のプロセスパラメータを分析し、これらのパラメータを統計的に相関させてプロセス特性の変化を検出する。これら複数のパラメータとしては、発光、環境パラメータ(例えば、反応チャンバ内の圧力や温度)、RFパワーパラメータ(例えば、反射パワーや同調電圧)、システムパラメータ(例えば、特定のシステム構成や制御電圧)が挙げられる。

請求項（抜粋）：

半導体ウェーハ処理システムパラメータを監視する方法であって、システム特性を示すパラメータデータを取得するステップと、パラメータデータの種々のソースからの前記データを相関させて、相関信号を生成するステップと、前記相関信号の特定の値に対応するトリガ基準を定めてトリガ点を形成するステップと、前記相関信号を前記トリガ点と比較して、前記システム内の特定の特性の存在を判断するステップと、前記比較に反応するステップと、を備える方法。

IPC (2件)：

H01L 21/3065 ,  H01L 21/02

FI (2件)：

H01L 21/302 E ,  H01L 21/02 Z