特許

J-GLOBAL ID：200903039367256590

低温シリコン・エピタキシアル成長方法

発明者： ポール・デーヴィッド・アネロ ,  トゥン・シャン・クァン ,  トマス・オリヴァー・セジウィック
出願人/特許権者： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
代理人 (1件)： 頓宮 孝一 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-290009
公開番号（公開出願番号）：特開平5-347249
出願日： 1992年10月28日
公開日（公表日）： 1993年12月27日
要約：

【要約】【目的】 APCVP法を使用して低温で選択的付着またはブランケット付着によって、不完全に清浄化したシリコン表面上に欠陥密度の低いシリコン・エピタキシアル層を成長させるための方法を提供すること。【構成】 表面上にシランまたはジシランからたとえば10mmの薄い第1のシリコンの層を成長させ、続いて、たとえば550〜850°Cの同じ低い温度でジクロロシラン(DCS)から膜の残り部分を成長させる。その後、第1の層の上にDCSを用いて第2の層を成長させても、特に同じ付着システム中で直ちに実施する場合は、余分な欠陥は導入されず、この第2の成長を、シランをベースとするシステムでは得られない、高濃度の制御されたn型ドーピングと組み合わせることができる。

請求項（抜粋）：

大気圧で受容表面上に低温での付着によって、シリコンのエピタキシアル被膜を成長させる際の欠陥密度を最小にする方法であって、まず、550〜850°Cの範囲の低温で、シランから上記受容表面上にシリコンの層を成長させるステップと、続いて、ほぼ同じ温度範囲の低温で、ジクロロシランからシリコン被膜の残り部分を成長させるステップとを含む方法。

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特公昭54-030872
  
• 特公昭54-030872