特許

J-GLOBAL ID：200903039367645791

安定化ジルコニア薄膜と単結晶シリコン基体との複合構造体およびその製造方法

発明者： 谷本 智
出願人/特許権者： 日産自動車株式会社
代理人 (1件)： 中村 純之助 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-076318
公開番号（公開出願番号）：特開平9-263494
出願日： 1996年03月29日
公開日（公表日）： 1997年10月07日
要約：

【要約】【課題】イオンドリフトのない単結晶安定化ジルコニア膜/c-Si複合構造体およびその製造方法を提供する。【解決手段】単結晶シリコン半導体基体1に安定化ジルコニア薄膜(ZrO2)2を成長した複合構造体において、前記安定化ジルコニア薄膜がZrの原子価4価よりも低い原子価金属の酸化物からなる安定化剤と、前記Zrの原子価4価よりも高い原子価金属の酸化物からなる酸素イオン空孔消滅剤とを概ね等量含有する、ことを特徴とする安定化ジルコニア薄膜と単結晶シリコン基体との複合構造体。

請求項（抜粋）：

単結晶シリコン半導体基体に安定化ジルコニア薄膜(ZrO2)を成長した複合構造体において、前記安定化ジルコニア薄膜がZrの原子価4価よりも低い原子価金属の酸化物からなる安定化剤と、前記Zrの原子価4価よりも高い原子価金属の酸化物からなる酸素イオン空孔消滅剤とを概ね等量含有する、ことを特徴とする安定化ジルコニア薄膜と単結晶シリコン基体との複合構造体。

IPC (4件)：

C30B 29/16 ,  C30B 23/08 ,  H01L 21/316 ,  H01L 49/02

FI (4件)：

C30B 29/16 ,  C30B 23/08 Z ,  H01L 21/316 Y ,  H01L 49/02

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭63-168551
  
• 特表平7-509689
  
• 磁気記録媒体
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-052452   出願人：ホーヤ株式会社