特許
J-GLOBAL ID:200903039369558829
レーザー蒸着用ターゲツト材および酸化物超伝導膜の製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
穂上 照忠 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平3-029988
公開番号(公開出願番号):特開平5-051298
出願日: 1991年02月25日
公開日(公表日): 1993年03月02日
要約:
【要約】【目的】意図する組成からのずれの小さい酸化物超伝導膜を作製する。【構成】ターゲット材としてBi系酸化物超伝導体を構成するBi,Sr,CaおよびCuのそれぞれを所定量含んだ理論密度の90%以上の嵩密度を有する焼結体を用い、これをIIa 、IIIaおよびIVa 族のうちの1種以上の元素の酸化物単結晶または多結晶の基板上にレーザー蒸着する。蒸着は、基板温度を 200°C以下、真空度10-5Torr以上として行う。【効果】ターゲット組成と成膜組成のずれが5%以内の結晶性に優れた酸化物超伝導膜を再現性よく製造することができる。
請求項(抜粋):
Bi系酸化物超伝導体を構成するBi,Sr,CaおよびCuのそれぞれを所定量含んだ焼結体のターゲット材であって、理論密度の90%以上の嵩密度を有することを特徴とするレーザー蒸着用ターゲット材。
IPC (8件):
C30B 29/22 501
, C01G 1/00
, C01G 29/00 ZAA
, C23C 14/08 ZAA
, C30B 23/08 ZAA
, H01B 13/00 565
, H01L 39/24 ZAA
, H01B 12/06 ZAA
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