半導体メモリ及びその作動方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：富村潔
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-071014
公開番号（公開出願番号）：特開平8-273389
出願日： 1996年03月01日
公開日（公表日）： 1996年10月18日
要約：

【要約】【課題】欠陥メモリセルが存在する場合にもメモリの使用可能性を改善する。【解決手段】メモリセルを個別にアドレス指定可能なユニット6に纏め、このユニット6にアドレスデコーダ回路5を接続し、半導体メモリのアドレス端子1とアドレスデコーダ回路5との間に、各々がアドレス端子1の1つに接続された複数の入力端2と、この入力端2の各々に対して対応する出力端3とを有するプログラム可能なアドレス変換装置10を配置し、このアドレス変換装置10は、プログラムされていない状態では入力端2に加わる外部アドレス信号4と等しい内部アドレス信号7をその入力端2に対応する各出力端3に出力するように形成し、またこのアドレス変換装置10は、少なくとも1つの出力端3に内部アドレス信号7としてその出力端3に対応する入力端2に加わる外部アドレス信号4とは異なった信号を出力し、それにより少なくとも部分的にユニット6のアドレス変更が行われるようにプログラム可能である。

請求項（抜粋）：

メモリセルが個別にアドレス指定可能なユニット(6)に纏められ、このユニット(6)に接続されたアドレスデコーダ回路(5)を有する半導体メモリであって、この半導体メモリがユニット(6)のアドレス指定のためにアドレスデコーダ回路(5)を介して外部アドレス信号(4)を加え得るアドレス端子(1)を有し、その外部アドレス信号(4)が外部アドレスを形成するような半導体メモリにおいて、アドレス端子(1)とアドレスデコーダ回路(5)との間にプログラム可能なアドレス変換装置(10)が配置され、このアドレス変換装置(10)はそれぞれアドレス端子(1)の1つと接続された入力端(2)を有し、アドレス変換装置(10)は入力端(2)の各々に対してアドレスデコーダ回路(5)に接続された対応する出力端(3)を有し、アドレス変換装置(10)はプログラムされていない状態では入力端(2)に加わる外部アドレス信号(4)と等しい内部アドレス信号(7)をその入力端(2)に対応する各出力端(3)に出力するように形成され、その内部アドレス信号(7)が内部アドレスを形成し、アドレス変換装置(10)は少なくとも1つの出力端(3)に内部アドレス信号(7)として対応する入力端(2)に加わる外部アドレス信号(4)とは異なった信号を出力するようにプログラム可能であり、それにより外部アドレスに関して少なくとも部分的にユニット(6)のアドレス変更が行われることを特徴とする半導体メモリ。

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