特許
J-GLOBAL ID：200903039373699763
圧力センサ及びその製造方法
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
富村 潔
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-326190
公開番号（公開出願番号）：特開平8-233672
出願日： 1995年11月22日
公開日（公表日）： 1996年09月13日
要約：
【要約】【課題】 BiCMOSプロセスで集積可能のマイクロメカニズムによる静電容量形圧力センサ及びその製造方法を改良する。【解決手段】 ダイアフラム層5で覆われている補助層3内にこのダイアフラム層5内の空隙6を通して空洞4を形成し、引続きこれらの空隙6をダイアフラム層5上の遮蔽層7の一部により空洞4を満たされることなく閉鎖し、ダイアフラムを所望の変形性を備えるように仕上げる。
請求項（抜粋）：
片面だけを主として導電性ダイアフラム層(5)により形成されるダイアフラム(10)により境界付られている空洞(4)が設けられ、このダイアフラム層(5)内のダイアフラム(10)の領域内にそれぞれダイアフラム層(5)の両表面を切断する複数の空隙(6)が設けられ、これらの空隙(6)内にダイアフラム層(5)の上に施された遮蔽層(7)の材料が注入され、空洞(4)のダイアフラム層(5)とは反対側に導電領域(2)が設けられ、このダイアフラム(10)の空洞(4)とは反対側にある圧力が所定の時間間隔で変化する際ダイアフラム層(5)と導電領域(2)との間の電気端子を介して測定可能の電気容量の変化が生じるようにダイアフラム(10)が変形可能であり、このダイアフラム層(5)及び導電領域(2)の電気端子のための接触部が設けられることを特徴とする圧力センサ。
IPC (2件)：
FI (2件)：
引用特許：
前のページに戻る
