特許

J-GLOBAL ID：200903039382579037

半導体装置用金属膜研磨スラリ-

発明者： 小野 文善
出願人/特許権者： 昭和電工株式会社
代理人 (1件)： 矢口 平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-115158
公開番号（公開出願番号）：特開2000-038573
出願日： 1999年04月22日
公開日（公表日）： 2000年02月08日
要約：

【要約】【課題】 半導体装置の金属膜の研磨レートが高く、絶縁膜に対する研磨レート比である選択比も高く、研磨面の傷の発生が少ない研磨スラリーを提供する。【解決手段】 特殊な特性および組成をもつアルミナ系微粒子と研磨促進剤および水を含有する半導体装置用金属膜研磨スラリー。

請求項（抜粋）：

アルミナ水和物を含む、若しくは含まないアルミナ系微粒子、研磨促進剤および水を含有し、該アルミナ系微粒子のα化率が65〜90%で比表面積が30〜80m2 /gであることを特徴とする半導体装置用金属膜研磨スラリー。

IPC (3件)：

C09K 3/14 550 ,  B24B 37/00 ,  H01L 21/304 622

FI (3件)：

C09K 3/14 550 D ,  B24B 37/00 H ,  H01L 21/304 622 D