特許
J-GLOBAL ID:200903039386658233
薄膜エレクトロルミネッセンス素子
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
鈴江 武彦
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平4-002106
公開番号(公開出願番号):特開平5-190284
出願日: 1992年01月09日
公開日(公表日): 1993年07月30日
要約:
【要約】【目的】発光層中の電子濃度を外部からの注入に依存せずに増加させ、発光開始電圧の低下、発光輝度の向上を達成した薄膜エレクトロルミネッセンス素子を提供することを目的とする。【構成】発光層5と、前記発光層5の両面または片面に設けられた誘電体層3a、3bとを具備した薄膜エレクトロルミネッセンス素子において、前記発光層5と誘電体層3a、3bの間に二次電子放出機能を有する薄層4a、4bを介在させたことを特徴としている。
請求項(抜粋):
発光層と、前記発光層の両面または片面に設けられた誘電体層とを具備した薄膜エレクトロルミネッセンス素子において、前記発光層と誘電体層の間に二次電子放出機能を有する薄膜層を介在させたことを特徴とする薄膜エレクトロルミネッセンス素子。
IPC (2件):
H05B 33/22
, G09F 9/30 365
引用特許:
審査官引用 (2件)
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特開昭50-138594
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特公昭46-018180
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