特許
J-GLOBAL ID:200903039387505120

突入電流抑制回路

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 大西 健治
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-168929
公開番号(公開出願番号):特開2001-352669
出願日: 2000年06月06日
公開日(公表日): 2001年12月21日
要約:
【要約】【課題】 こ入力コンデンサCinの放電中に入力電源Vinの印加があっても突入電流を抑制することができる突入電流抑制回路を提供する。【解決手段】 入力コンデンサCinの充電状況によりMOSFET Q2の動作(ON/OFF)を決定するツェナーダイオードD4を備える
請求項(抜粋):
入力コンデンサと、前記入力コンデンサへの突入電流を抑制する突入電流抑制素子と、前記突入電流抑制素子の導通切替を行う第1のスイッチ素子と、前記入力コンデンサの充電状態に応じて前記第1のスイッチ素子を制御する第1の制御手段と、を備えたことを特徴とする突入電流抑制回路。
IPC (2件):
H02H 9/02 ,  H02J 1/00 309
FI (2件):
H02H 9/02 D ,  H02J 1/00 309 R
Fターム (12件):
5G013AA02 ,  5G013AA14 ,  5G013BA01 ,  5G013CA10 ,  5G065BA04 ,  5G065EA01 ,  5G065GA02 ,  5G065HA05 ,  5G065KA02 ,  5G065MA03 ,  5G065NA01 ,  5G065NA05

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