特許
J-GLOBAL ID：200903039392688918
半導体基板の処理方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
杉村 暁秀 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-213236
公開番号（公開出願番号）：特開平6-196455
出願日： 1991年07月31日
公開日（公表日）： 1994年07月15日
要約：
【要約】【目的】 シリコンウエファの表面を清浄するに当たり、自然酸化膜をシリコンウエファを加熱することなく除去するとともに均一なエッチングを行って表面の平坦性を確保できる半導体基板の処理方法を提供しようとするものである。【構成】 シリコンウエファをフッ化塩素系ガスと水素ガスとの混合ガス雰囲気中に入れ、この混合ガスに紫外線を照射してフッ化水素ラジカルを生成させ、このフッ化水素ラジカルでシリコンウエファ表面に形成されている自然酸化膜を除去し、次に雰囲気をフッ化塩素系ガスのみに切換え、これに紫外線を照射してフッ素ラジカルおよび塩素ラジカルを生成させ、これらのラジカルによってシリコンウエファをエッチングする。
請求項（抜粋）：
表面を清浄処理すべき半導体基板を、フッ化塩素系ガスと、水素ガスとを含む混合ガス雰囲気中に入れ、この混合ガスに紫外線を照射して生成されるフッ化水素ラジカルによって半導体基板表面に形成されている自然酸化膜を除去し、次に、雰囲気をフッ化塩素系ガスのみとし、これに紫外線を照射して生成されるフッ素ラジカルおよび塩素ラジカルによって半導体基板の表面をエッチングすることを特徴とする半導体基板の処理方法。
IPC (2件)：
H01L 21/302
, H01L 21/304 341
