特許

J-GLOBAL ID：200903039393384149

レジストパターンの形成方法

発明者： 北野 直樹 ,  宮木 透 ,  飯村 勝彦 ,  小林 俊一
出願人/特許権者： 川崎製鉄株式会社
代理人 (1件)： 森 哲也 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-038850
公開番号（公開出願番号）：特開平6-194846
出願日： 1993年02月26日
公開日（公表日）： 1994年07月15日
要約：

【要約】【目的】 レジスト膜上に、良好な膜厚制御性を有すると共に、十分な反射防止効果を備えた反射防止膜を形成することにより、多重干渉効果に起因するパターンの寸法変動を防止し、寸法精度を著しく向上することが可能なレジストパターンの形成方法を提供する。【構成】 非パターニング膜上に形成したレジスト膜5の表層を化学的に変質させて反射防止層6を形成し、これに選択的露光、現像を行いレジストパターン9を形成する。または、非パターニング膜上に形成したレジスト膜5上に樹脂膜6を形成し、樹脂膜6を化学的に変質させて反射防止膜16を形成し、これに選択的露光、現像を行いレジストパターン9を形成する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上または当該半導体基板上に形成した被パターニング膜上に、レジスト膜を形成する工程と、当該レジスト膜の表層を化学的に変質させて反射防止層を形成する工程と、を含むことを特徴とするレジストパターンの形成方法。

IPC (2件)：

G03F 7/26 511 ,  H01L 21/027

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭51-147649
  
• 管状緊張材
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-204409   出願人：新日本製鐵株式会社, 石川島播磨重工業株式会社, 株式会社熊谷組, 株式会社荏原製作所
• 特開昭55-159020