特許
J-GLOBAL ID：200903039401861008
シャロートレンチ形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高月 亨
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-155765
公開番号（公開出願番号）：特開平7-078866
出願日： 1991年05月30日
公開日（公表日）： 1995年03月20日
要約：
【要約】【目的】本発明は、アライメント部トレンチ内の埋込材を選択的に除去してシャロートレンチを形成し、正確なアライメントが行え、信頼性の高いプロセスでULSIを効率良く製造できるシャロートレンチ形成方法を提供することを目的とする。【構成】基板1上にトレンチ2及びアライメント部トレンチ4を形成し、次いで上記トレンチ2及び4をバイアスECR-CVDにより埋込材3で埋め込み、次いでトレンチ外に形成された埋込材3aを水平方向にエッチングしてトレンチ2上の溝幅を広く、次いで平坦化されたアライメント部トレンチ4内の埋込材3を露出するようにホトレジスト8でパターニングして、アライメントマーク部4の埋込材3だけを選択的にエッチングして除去する。
請求項（抜粋）：
基板の表面部にトレンチを形成し、次いで、このトレンチをバイアスECR-CVDにより形成した埋込材で埋め込み、次いでその埋め込みの際にトレンチ外に形成された埋込材によるトレンチ上の溝幅を広くするための埋込材に対する水平方向のエッチングを行い、その後、上記トレンチのうちのアライメント部トレンチ以外のトレンチ内の埋込材をマスクしてトレンチ外及びアライメント部トレンチ内の埋込材を除去するシャロートレンチ形成方法であって、上記平坦化されたアライメント部の埋込材を露出させる構成でレジストパターンを形成することを特徴とするシャロートレンチ形成方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/76 L
, H01L 21/31 B
