特許

J-GLOBAL ID：200903039403235490

パターン化薄膜形成方法およびマイクロデバイスの製造方法

発明者： 渡辺 久義
出願人/特許権者： ティーディーケイ株式会社
代理人 (1件)： 星宮 勝美
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-176886
公開番号（公開出願番号）：特開2002-363730
出願日： 2001年06月12日
公開日（公表日）： 2002年12月18日
要約：

【要約】【課題】 アンダーカットの入った形状のマスクを用いて、欠陥を発生させることなくパターン化薄膜を形成する。【解決手段】 パターン化薄膜形成方法では、下地101の上に第1の被パターニング膜、剥離膜103を順に形成し、その上に、アンダーカットの入ったマスク104を形成する。次に、マスク104を用いて剥離膜103および第1の被パターニング膜を選択的にエッチングして第1のパターン化薄膜105を形成する。その際、剥離膜103の上に第1の被パターニング膜を構成する物質よりなる再付着膜106が形成される。次に、全面に被パターニング膜107,108を順に形成する。その際、剥離膜103の上に、被パターニング膜107,108を形成するための物質よりなる付着膜109が形成される。次に、マスク104および剥離膜103を剥離し、再付着膜106と付着膜109を除去する。

請求項（抜粋）：

アンダーカットの入った形状のマスクを用いてパターン化薄膜を形成するパターン化薄膜形成方法であって、下地の上に被パターニング膜を形成する工程と、前記被パターニング膜の上に、後に前記被パターニング膜がパターニングされる際に同時にパターニングされ、最終的に剥離される剥離膜を形成する工程と、前記剥離膜の上に、アンダーカットの入ったマスクを形成する工程と、前記マスクを用いて、前記剥離膜および前記被パターニング膜を選択的にエッチングして、被パターニング膜によってパターン化薄膜を形成する工程と、前記マスクおよび前記剥離膜を剥離する工程とを備えたことを特徴とするパターン化薄膜形成方法。

IPC (6件)：

C23C 14/04 ,  G11B 5/31 ,  G11B 5/39 ,  H01F 41/32 ,  H01L 43/08 ,  H01L 43/12

FI (6件)：

C23C 14/04 A ,  G11B 5/31 M ,  G11B 5/39 ,  H01F 41/32 ,  H01L 43/08 Z ,  H01L 43/12

Fターム (11件)：

4K029BD11 ,  4K029GA05 ,  4K029HA03 ,  5D033DA07 ,  5D034BA02 ,  5D034BA03 ,  5D034BA12 ,  5D034DA05 ,  5D034DA07 ,  5E049BA12 ,  5E049GC01