特許

J-GLOBAL ID：200903039411224847

III族窒化物系化合物半導体素子の製造方法

発明者： 千代 敏明 ,  柴田 直樹 ,  野杁 静代 ,  伊藤 潤 ,  浅見 慎也 ,  渡邉 大志
出願人/特許権者： 豊田合成株式会社
代理人 (1件)： 小西 富雅
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-130475
公開番号（公開出願番号）：特開2000-286202
出願日： 1999年03月31日
公開日（公表日）： 2000年10月13日
要約：

【要約】【目的】 スパッタ法など有機金属を原材料に用いない方法で基板上に形成された第一のIII族窒化物系化合物半導体層の上に結晶性のよい第二のIII族窒化物系化合物半導体層を形成する。【構成】 有機金属を原材料に用いない方法で基板上に形成された第一のIII族窒化物系化合物半導体層であって、これを水素ガスとアンモニアガスとの混合ガスの雰囲気下で熱処理すると、その上に形成される第二のIII族窒化物系化合物半導体層の結晶性が向上する。

請求項（抜粋）：

有機金属を原材料に用いない方法で基板上に第一のIII族窒化物系化合物半導体層を形成し、該第一のIII族窒化物系化合物半導体層を水素ガスとアンモニアガスとの混合ガスの雰囲気下で熱処理し、その後、該第一のIII族窒化物系化合物半導体層の上に第二のIII族窒化物系化合物半導体層を形成する、ことを特徴とするIII族窒化物系化合物半導体素子の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/205 ,  H01L 33/00

FI (2件)：

H01L 21/205 ,  H01L 33/00 C

Fターム (23件)：

5F041AA31 ,  5F041AA40 ,  5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA65 ,  5F041CA73 ,  5F041CA77 ,  5F045AA04 ,  5F045AA10 ,  5F045AA19 ,  5F045AB09 ,  5F045AB17 ,  5F045AB18 ,  5F045AC12 ,  5F045AD14 ,  5F045AD15 ,  5F045AD16 ,  5F045AF09 ,  5F045DA53 ,  5F045EE12 ,  5F045HA16