特許

J-GLOBAL ID：200903039412776282

化合物半導体エピタキシャルウエハ

発明者： 宇田川 隆
出願人/特許権者： 昭和電工株式会社
代理人 (1件)： 矢口 平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-224003
公開番号（公開出願番号）：特開平10-070076
出願日： 1996年08月26日
公開日（公表日）： 1998年03月10日
要約：

【要約】【課題】 表面状態に優れる連続膜からなる格子不整合系積層体を得るに足る窒化物化合物半導体からなる低温緩衝層を備えた化合物半導体エピタキシャルウエハを提供する。【解決手段】 結晶基板とそれとは格子整合しない材料からなる構成層との間に、頂部の間隔、横幅の差異及び高さの差異が規程された紡錘状の単結晶粒を主体として構成される低温緩衝層を配置する。

請求項（抜粋）：

結晶基板上に低温で成長された窒化物化合物半導体からなる低温薄膜緩衝層を備えた積層体から構成される化合物半導体エピタキシャルウエハにおいて、該低温緩衝層が、断面が紡錘状の複数の単結晶粒を主体として構成されていて、隣接する単結晶粒の頂点の間隔Lが該単結晶粒の横幅W以上かつW+100nm以下であることを特徴とする化合物半導体エピタキシャルウエハ。

IPC (3件)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/02 ,  H01L 21/205

FI (3件)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/02 B ,  H01L 21/205