特許

J-GLOBAL ID：200903039423703686

半導体発光素子

発明者： 本城 智郁
出願人/特許権者： 京セラ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-090968
公開番号（公開出願番号）：特開2001-284650
出願日： 2000年03月29日
公開日（公表日）： 2001年10月12日
要約：

【要約】【課題】 電極の引き出し方向以外の絶縁膜を取り除くことによって、保護膜を形成したときの発光強度のばらつきを一定に保つことを可能にする。【解決手段】 基板上に一導電型半導体層と逆導電型半導体層を形成して、絶縁膜で被覆し、この絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して前記逆導電型半導体層に接続した第1の電極を前記半導体基板上に引き出して設け、この第1の電極、前記一導電型半導体層、および前記逆導電型半導体層を保護膜で被覆し、前記基板の裏面側に第2の電極を接続して設けた半導体発光素子において、前記絶縁膜を前記第1の電極の引き出し方向のみに設けた。

請求項（抜粋）：

基板上に一導電型半導体層と逆導電型半導体層を形成して、絶縁膜で被覆し、この絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して前記逆導電型半導体層に接続した第1の電極を前記半導体基板上に引き出して設け、この第1の電極、前記一導電型半導体層、および前記逆導電型半導体層を保護膜で被覆し、前記基板の裏面側に第2の電極を接続して設けた半導体発光素子において、前記絶縁膜を前記第1の電極の引き出し方向のみに設けたことを特徴とする半導体発光素子。

FI (2件)：

H01L 33/00 E ,  H01L 33/00 A

Fターム (19件)：

5F041AA03 ,  5F041AA04 ,  5F041AA05 ,  5F041AA10 ,  5F041CA35 ,  5F041CA36 ,  5F041CA46 ,  5F041CA53 ,  5F041CA57 ,  5F041CA65 ,  5F041CA74 ,  5F041CA82 ,  5F041CA85 ,  5F041CA92 ,  5F041CB11 ,  5F041CB15 ,  5F041FF11 ,  5F041FF13 ,  5F041FF16