特許

J-GLOBAL ID：200903039424691860

半導体素子の製造方法及び製造装置

発明者： 松村 和彦 ,  藤本 博昭 ,  河北 哲郎
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 滝本 智之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-117589
公開番号（公開出願番号）：特開平9-306871
出願日： 1996年05月13日
公開日（公表日）： 1997年11月28日
要約：

【要約】【課題】 半導体素子のAl電極上に自然酸化膜の発生を防止した状態で無電解めっき法によって接続性の高い金属膜を形成することを目的とする。【解決手段】 ドライエッチングによりAl電極2上の自然酸化膜を均一に除去し、不活性雰囲気中でドライエッチング後のめっき工程を施すことで、Al電極2の自然酸化膜の再形成を完全に防止し、自然酸化膜の形成防止のためのZn粒子膜形成等の処理が必要なくなる。このことにより、密着性が良く、接続性の高い無電解めっきによる電極を形成することができる。

請求項（抜粋）：

半導体素子上に形成されたAl電極表面に存在する自然酸化膜をドライエッチングにより除去する工程と、前記自然酸化膜の除去された前記Al電極を有する半導体素子を不活性雰囲気環境下で搬送する工程と、前記搬送の後不活性雰囲気環境下で前記半導体素子の前記Al電極表面に無電解めっき法により金属膜を析出させる工程とを有する半導体素子の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/288 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 21/321

FI (8件)：

H01L 21/288 E ,  H01L 21/28 301 L ,  H01L 21/302 G ,  H01L 21/88 B ,  H01L 21/92 603 F ,  H01L 21/92 604 D ,  H01L 21/92 604 Z ,  H01L 21/92 604 E

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 電極の製造方法およびその接続方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-243629   出願人：セイコーエプソン株式会社
• 表面処理方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-157058   出願人：株式会社東芝
• 特開平4-146624