特許

J-GLOBAL ID：200903039430351787

薄膜光起電力装置

発明者： 渡辺 隆行 ,  松井 正宏
出願人/特許権者： 旭化成工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-264852
公開番号（公開出願番号）：特開平7-122762
出願日： 1993年10月22日
公開日（公表日）： 1995年05月12日
要約：

【要約】 (修正有)【構成】 タンデム構造の光起電力装置において、光吸収層として、バンドギャップが小さいCuInSe2 などのカルコパイライト化合物3を下部セル6に、それよりバンドギャップが大きいCuInS2 などのカルコパイライト化合物10を上部セル12に用いた。【効果】 変換効率が高く、光照射時の耐久性に優れ、かつ安価なタンデム構造の光起電力装置が作製できる。

請求項（抜粋）：

元素周期律表のI -III -VI族化合物薄膜を光吸収層として有する第1の薄膜光起電力素子と、第1の薄膜光起電力素子の光吸収層のI -III -VI族化合物薄膜よりもバンドギャップの広い元素周期律表のI -III -VI族化合物薄膜を光吸収層として有する第2の薄膜光起電力素子とを積層することを特徴とする薄膜光起電力装置。