特許
J-GLOBAL ID：200903039430446222
半導体の高キャリア密度化法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
深見 久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-126241
公開番号（公開出願番号）：特開平7-335983
出願日： 1994年06月08日
公開日（公表日）： 1995年12月22日
要約：
【要約】【目的】 青色レーザの発光素子に適用するのに十分となるまで、半導体を高キャリア密度化する方法を提供する。【構成】 不純物がドーピングされた半導体6にシンクロトロン放射光7を照射することにより、不純物を活性化することを特徴とする。
請求項（抜粋）：
不純物がドーピングされた半導体にシンクロトロン放射光を照射することにより、前記不純物を活性化することを特徴とする、半導体の高キャリア密度化法。
IPC (2件)：
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