窒化ガリウム系半導体素子及びその製造方法

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出願人/特許権者： , , ,
代理人 (1件)：藤村元彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-335255
公開番号（公開出願番号）：特開平5-343741
出願日： 1991年12月18日
公開日（公表日）： 1993年12月24日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】結晶欠陥の発生を抑制した高結晶品質で平坦性の極めて優れた(Ga1-xAlx)1-yInyNの単結晶を作製し、大電流注入によっても動作できかつ微細加工特に電極形成が容易にできる窒化ガリウム系半導体素子及びその製造方法を提供する。【構成】窒化ガリウム系半導体素子製造方法において、シリコンの単結晶基板1を温度400〜 1300°Cに保持し、少なくともアルミニウムを含む有機金属化合物及び窒素を含む化合物が存在する雰囲気内に単結晶基板を保持して少なくともアルミニウム及び窒素を含む薄膜の中間層2を単結晶基板の表面の一部分又は全体に形成し、しかる後、中間層の上に(Ga1-xAlx)1-yInyNの単結晶層3を少なくとも一層又は多層形成する。

請求項（抜粋）：

シリコン(Si)基板と、前記シリコン基板上に形成された少なくともアルミニウム(Al)及び窒素(N)を含む化合物からなる中間層と、前記中間層上に形成された(Ga1-xAlx)1-yInyN(0≦x≦1,0≦y≦1,但しx=1かつy=0の場合は除く)の結晶層とからなることを特徴とする窒化ガリウム系半導体素子。

引用特許：

出願人引用 (6件)

特開昭64-021991
特開平3-203388
特開平3-218625

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審査官引用 (22件)

特開昭64-021991
特開昭64-021991
特開昭64-021991

特開平3-203388

特開平3-218625

特開平2-229476

窒化ガリウム系薄膜の成長方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-179707 出願人：旭化成工業株式会社

特開平2-081484

特開昭63-188938