特許
J-GLOBAL ID：200903039434095939
弾性表面波装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
薄田 利幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-174859
公開番号（公開出願番号）：特開平9-027727
出願日： 1995年07月11日
公開日（公表日）： 1997年01月28日
要約：
【要約】【目的】櫛型電極にはAl使用して、容量比が小さく、スプリアスがなく、低損失な弾性表面波トランスデューサを実現する。【構成】圧電材料に、θ度回転Yカットニオブ酸リチウム単結晶圧電基板5を用い、櫛型電極4にはAlを主成分とする金属膜を用い、櫛型電極の方向をニオブ酸リチウム結晶のX軸と平行にし、櫛型電極の厚さhと電極ピッチPを(θ+5)2/300+11/12≦h/P×100-8≦-0.0001×(θ+5)3+0.1625×(θ+5)+5.5且つ-30≦θ≦20とする。【効果】櫛型電極4の電極指エッジにおける弾性表面波の停留を主原因とし、Alの櫛型電極で、容量比が3以下で、低損失の弾性表面波装置が実現される。
請求項（抜粋）：
圧電性物質の表面に櫛型電極が形成された弾性表面波装置において、上記櫛型電極の電極指エッジにおける弾性表面波の停留を主原因とし、上記櫛型電極で励振される弾性表面波の伝搬速度と、上記弾性表面波と同方向の速度ベクトルを有し非表面波で上記櫛型電極又は圧電性物質の形状に依存しない上記圧電性物質固有の弾性波の伝搬速度との大小関係が逆転し、上記弾性表面波の伝搬速度の方が上記非表面波の伝搬速度より小さくなるように上記櫛型電極の膜の厚さ及び上記櫛型電極の電極指のピッチを設定したことを特徴とする弾性表面波装置。
IPC (2件)：
FI (4件)：
H03H 9/145 Z
, H03H 9/145 C
, H03H 9/25 Z
, H03H 9/25 C
