特許
J-GLOBAL ID：200903039436862996
窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
発明者：
,
,
,
出願人/特許権者：
,
,
代理人 (1件)：
藤谷 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-389510
公開番号（公開出願番号）：特開2001-177190
出願日： 1990年12月26日
公開日（公表日）： 2001年06月29日
要約：
【要約】【課題】短波長である青色、紫色領域或いは紫外光領域における発光素子を得ること。【解決手段】低抵抗n型シリコン基板8の上に、3C-SiC薄膜9、AlN 薄膜10、Siドープn型GaAlN 層11(n層)、GaN 層12(活性層)、MgドープGaAlN 層13(p層)を形成する。ドープGaAlN 層13(p層)上にSiO2層15を堆積した後、縦1mm、横50μmの短冊状に窓15Aを開け、ドープGaAlN 層13(p層)の窓15Aの部分と、Siドープn型GaAlN 層11(n層)に、それぞれ、金属電極が形成する。
請求項（抜粋）：
シリコン(Si)基板と、前記シリコン(Si)基板の上方に形成されたn型伝導性を示す窒化ガリウム系化合物半導体((Alx1Ga1-x1)y1In1-y1N:0≦x1≦1,0≦y1≦1 )から成るn層と、p型伝導性を示す窒化ガリウム系化合物半導((Alx2Ga1-x2)y2In1-y2N:0≦x2≦1,0≦y2≦1 )から成るp層と、前記n層と前記p層との間に存在し、前記n層及び前記p層よりも、禁制帯幅の狭い窒化ガリウム系化合物半導((Alx3Ga1-x3)y3In1-y3N:0≦x3≦1,0≦y3≦1,但しx3=y3=1 は含まない)から成る発光層とから成る窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。
IPC (3件)：
H01S 5/323
, H01L 21/205
, H01L 33/00
H01S 5/323
, H01L 21/205
, H01L 33/00 C
