特許

J-GLOBAL ID：200903039438322379

面型半導体レーザ装置及び面型半導体レーザ装置の製造方法

発明者： 沼居 貴陽
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 内原 晋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-000604
公開番号（公開出願番号）：特開平5-021888
出願日： 1991年01月08日
公開日（公表日）： 1993年01月29日
要約：

【要約】【目的】面型半導体レーザ装置の出射ビームの拡がりを抑制する【構成】面型半導体レーザ装置の半導体層内にレンズをモノリシックに形成して出射ビームの集光性を向上した。

請求項（抜粋）：

第1導伝型半導体基板表面に活性層、この活性層上に第2導伝型のクラッド層を少なくとも有し、中心部の反射率が他の部分よりも低くなるよう設定してある第1の多層膜反射鏡を前記第1導伝型半導体基板裏面に備え、前記第2導伝型のクラッド層上に集光機能を有するレンズを有し、前記レンズ上に前記レンズの焦点位置と一致する位置に第2の多層反射膜を有することを特徴とする面型半導体レーザ装置。