特許
J-GLOBAL ID：200903039439383754
半導体ウェーハ研磨装置
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
八田 幹雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-101324
公開番号（公開出願番号）：特開平7-307317
出願日： 1994年05月16日
公開日（公表日）： 1995年11月21日
要約：
【要約】【目的】 非接触で確実に精度よく定盤の形状変化を測定しながら、研磨を行う半導体ウェーハ研磨装置およびその測定結果に基づいて、研磨中の定盤やブロックの状態を制御し、非常に高精度のウェーハの研磨を行わせることが可能な半導体ウェーハ研磨装置を提供する。【構成】 半導体ウェーハの鏡面研磨装置において、定盤9の半径方向中心より外周部にかけて、前記定盤上に非接触で設けられた前記定盤9の変位を測定する渦電流式変位センサ測定ヘッド60を設けた半導体ウェーハ研磨装置。
請求項（抜粋）：
半導体ウェーハを保持するブロックと、該ブロックの前記半導体ウェーハを保持した側に配置される定盤と、前記ブロックを前記定盤に対して加圧する加圧機構と、前記ブロックと前記定盤とを相対的に摺動させる摺動駆動機構と、前記定盤を冷却する冷却機構とを備えた研磨装置において、前記定盤の半径方向中心より外周部にかけて、前記定盤上に非接触で設けられた前記定盤の変位を測定する渦電流式変位センサと、該渦電流式変位センサの出力から、前記定盤の変形量を算出する算出手段と、を有することを特徴とする半導体ウェーハ研磨装置。
IPC (2件)：
H01L 21/304 321
, B24B 37/04
