特許

J-GLOBAL ID：200903039441431316

パターン形成方法

発明者： 佐藤 康彦 ,  柴田 剛 ,  大西 廉伸 ,  大内 淳子
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-295240
公開番号（公開出願番号）：特開2002-110499
出願日： 2000年09月27日
公開日（公表日）： 2002年04月12日
要約：

【要約】【課題】 スピンオングラスを用いたパターン転写プロセスにおいて、スピンオングラスの破裂を起こすことなく、被加工膜のパターニングを行うことを可能とするパターン形成方法を提供すること。【解決手段】 無機元素と酸素との結合を有する無機化合物と、揮発性ユニットまたは溶解性ユニットとを含む化合物を溶剤に溶解してなる溶液を、被加工膜上に塗布して、マスク材を形成する工程、揮発性ユニットを揮発せしめ、または溶解性ユニットを選択的に溶解除去して、マスク材を多孔質化する工程、マスク材上にレジストパターンを形成する工程、レジストパターンをマスクとして用いて、マスク材をドライエッチンして、マスク材パターンを形成する工程、およびマスク材パターンをマスクとして用いて、被加工膜をドライエッチングして、被加工膜パターンを形成する工程を具備することを特徴とする。

請求項（抜粋）：

無機元素と酸素との結合を有する無機化合物と、揮発性ユニットを含む化合物を溶剤に溶解してなる溶液を、被加工膜上に塗布して、マスク材を形成する工程、前記揮発性ユニットを揮発せしめて多孔質化する工程、前記マスク材上にレジスト膜を形成する工程、前記レジスト膜をパターニングしてレジストパターンを形成する工程、前記マスク材をドライエッチングして、前記レジストパターンを前記マスク材に転写して、マスク材パターンを形成する工程、および前記被加工膜をドライエッチングして、前記マスク材パターンを前記被加工膜に転写して、被加工膜パターンを形成する工程を具備することを特徴とするパターン形成方法。

Fターム (5件)：

5F046JA22 ,  5F046NA01 ,  5F046NA14 ,  5F046NA17 ,  5F046NA18