特許
J-GLOBAL ID：200903039447101997
電界効果型トランジスタ及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
河野 登夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-171116
公開番号（公開出願番号）：特開平6-140627
出願日： 1993年06月16日
公開日（公表日）： 1994年05月20日
要約：
【要約】【目的】 耐圧性が良好で、リーク電流値のバラツキが少ないゲート酸化膜を有する電界効果型トランジスタ及びその製造方法を提供すること。【構成】 p型のシリコン基板3上にフィールド酸化膜1,1を形成し、CVD法により、シリコン基板3及びフィールド酸化膜1,1上に、CVD酸化膜2a を形成する。CVD酸化膜2a は 125Åの膜厚に堆積させる。次に熱酸化を行う。シリコン基板3とCVD酸化膜2a との間に 125Åの膜厚で熱酸化膜2b を形成する。このCVD酸化膜2a 及び熱酸化膜2b で 250Åのゲート酸化膜2を構成する。
請求項（抜粋）：
半導体基板とゲート電極との間にゲート酸化膜を有する電界効果型トランジスタにおいて、前記ゲート酸化膜が、熱酸化膜とCVD酸化膜とからなることを特徴とする電界効果型トランジスタ。
引用特許：
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