特許
J-GLOBAL ID：200903039447335718
ビスマス層状強誘電体薄膜の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-273386
公開番号（公開出願番号）：特開平9-077592
出願日： 1995年09月14日
公開日（公表日）： 1997年03月25日
要約：
【要約】【目的】 不揮発性メモリーなどに用いられるビスマス層状強誘電体薄膜ABi2B2O9(ここでAはSrまたはBaを、BはNbまたはTaを表す)を化学気相成長法で形成する方法を提供する。【構成】 熱CVD装置において、AとBの原料として、A〔B(OC2H5)6〕2で表されるダブルエトキシドを蒸発または昇華させて導入し、Biの原料として、ビスマスターシャリブトキシドまたはビスマスターシャリペントキシドを昇華させて導入し、加熱した基板上で分解成長させ、次いで酸素を含む雰囲気で熱処理する。【効果】 本発明によれば、上記の原料を用いることにより、膜の組成、結晶構造の制御が容易になり、半導体装置製造において量産性の高い通常のCVD装置が使える効果がある。
請求項（抜粋）：
ABi2B2O9(ただし、式中A=Sr、 Ba、B=Nb、Taのいずれかを表す)で表されるビスマス層状強誘電体の薄膜を気相成長法で製造する場合において、AとBの原料としてA〔B(OC2H5)6〕2で表されるダブルエトキシドを用いることを特徴とするビスマス層状強誘電体薄膜の製造方法。
IPC (7件)：
C30B 25/00
, C01G 29/00
, H01G 4/33
, H01L 21/314
, H01L 27/10 451
, H01L 27/108
, H01L 21/8242
C30B 25/00
, C01G 29/00
, H01L 21/314 A
, H01L 27/10 451
, H01G 4/06 102
, H01L 27/10 651
