特許
J-GLOBAL ID：200903039449905040
薄膜半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
阪本 清孝 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-033930
公開番号（公開出願番号）：特開平6-232402
出願日： 1993年02月01日
公開日（公表日）： 1994年08月19日
要約：
【要約】【目的】 優れた界面特性を有するゲ-ト絶縁膜を形成することのできる薄膜半導体装置の製造方法を提供する。【構成】 ゲ-ト絶縁膜4は、ガラス基板1の温度を23°CとしてECRプラズマCVD法を用いてシリコン酸化膜を堆積させ、その後、500°Cの窒素雰囲気中で1時間の熱処理を施すことによって形成され、その結果、ゲ-ト絶縁膜4の界面準位は1×1011cm-2ev-1以下となる。
請求項（抜粋）：
ソ-ス及びドレイン領域が一部に形成された半導体活性層をガラス基板上に配設し、この半導体活性層を覆うようにゲ-ト絶縁膜を設け、このゲ-ト絶縁膜上にゲ-ト電極を設け、さらにこのゲ-ト絶縁膜を覆う層間絶縁膜を形成してなる薄膜半導体装置の製造方法において、ゲ-ト絶縁膜の形成工程は、ガラス基板を100°C以下に保持しつつ絶縁部材を前記ガラス基板上に堆積させる第1の工程と、前記堆積された絶縁部材に対し400〜600°Cの熱処理を施す第2の工程と、からなることを特徴とする薄膜半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 29/784
, H01L 21/31
, H01L 21/316
