特許

J-GLOBAL ID：200903039450278784

位相シフトマスク及びその作製方法

発明者： 古溝 透 ,  鏡 一郎
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 野田 茂
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-117637
公開番号（公開出願番号）：特開2002-311568
出願日： 2001年04月17日
公開日（公表日）： 2002年10月23日
要約：

【要約】【課題】 位相シフトマスク作製工程途中で位相差を測定し、目標とする位相差になるよう制御する。【解決手段】 位相シフトマスク作製途中に位相差を測定可能な位相差モニタパターンを作成し、その位相シフト部における透光基板の掘り込み量をレジスト付きの状態でも段差測定器で測定できるようにする。したがって、その位相シフト部の位相差をAFM等の段差測定器で測定し、また、この位相シフト部を形成する際の遮光膜が受けたダメージも考慮して位相差を算出する。これにより、位相差の算出値に基づいて、追加エッチングを行い、位相シフトマスクの位相差を制御する。したがって、位相シフトマスクの作製工程途中でも、追加エッチングによる位相差制御を行なうことが可能になり、位相シフトマスクの作製効率を改善でき、半導体装置の品質の安定化やコストダウンを図ることが可能となる。

請求項（抜粋）：

位相シフト技術を用いて半導体装置の微細パターンを形成するための位相シフトマスクにおいて、前記位相シフトマスク作製途中のレジスト膜が付着した状態で、前記位相シフトマスクの位相差を測定するための位相差モニタパターンを有する、ことを特徴とする位相シフトマスク。

IPC (2件)：

G03F 1/08 ,  H01L 21/027

FI (3件)：

G03F 1/08 S ,  G03F 1/08 A ,  H01L 21/30 502 P

Fターム (5件)：

2H095BB02 ,  2H095BB03 ,  2H095BB36 ,  2H095BC24 ,  2H095BD02