特許
J-GLOBAL ID:200903039450674698

厚膜サーミスタ、およびその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 滝本 智之 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-104471
公開番号(公開出願番号):特開平10-294204
出願日: 1997年04月22日
公開日(公表日): 1998年11月04日
要約:
【要約】【課題】 温度の変化を検出する厚膜サーミスタにおいて、高温時での厚膜サーミスタの抵抗値の経時変化が大きくなることのない特性の向上したものを提供することを目的とする。【解決手段】 サーミスタ層33をV,Cr,Mn,Fe,Co,Ni,Cu,Znの遷移元素のうち少なくとも二つ以上の元素の金属酸化物と、熱硬化性樹脂バインダーと、導電性粉末との混合物とを、この混合物の結晶変態点温度以下で焼成することにより、スピネル構造体を保持できるので、高温時での経時変化の小さい特性の向上した厚膜サーミスタを提供できる構成とした。
請求項(抜粋):
基板と、この基板の上面両端部から側面部に渡って設けられた電極と、前記基板の上面に設けられるとともに前記電極と電気的に接続されたサーミスタ層とを備え、このサーミスタ層はV,Cr,Mn,Fe,Co,Ni,Cu,Znの遷移元素のうち少なくとも二つ以上の元素の金属酸化物と、熱硬化性樹脂バインダーと、導電性粉末との混合物とを、この混合物の結晶変態点温度以下で焼成した厚膜サーミスタ。
IPC (2件):
H01C 7/04 ,  C04B 35/64
FI (2件):
H01C 7/04 ,  C04B 35/64 C

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