特許
J-GLOBAL ID：200903039450898626
半導体レーザ素子とその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (6件)：
深見 久郎
, 森田 俊雄
, 仲村 義平
, 堀井 豊
, 野田 久登
, 酒井 將行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-308707
公開番号（公開出願番号）：特開2004-146527
出願日： 2002年10月23日
公開日（公表日）： 2004年05月20日
要約：
【課題】製造原価の低減が可能で量産性に優れた高出力の化合物半導体レーザ素子とその製造方法を提供する。【解決手段】半導体レーザ素子は、基板1001上において活性層1003とそれを挟む一対のクラッド層1002、1004を含むリッジストライプ型の半導体レーザ素子であって、それらのクラッド層の少なくとも一方の内部においてそのクラッド層より高濃度のAlまたはMgを含む付加的層1007bを含み、その付加的層はレーザ共振器端面に接してAlまたはMgの酸化膜領域を含んでいる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
基板上において活性層とそれを挟む一対のクラッド層を含むリッジストライプ型の半導体レーザ素子であって、前記一対のクラッド層の少なくとも一方の内部においてそのクラッド層より高濃度のAlまたはMgを含む第1の付加的層を含み、前記第1の付加的層はレーザ共振器端面に接してAlまたはMgの酸化膜領域を含むことを特徴とする半導体レーザ素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (22件)：
5F073AA13
, 5F073AA45
, 5F073AA51
, 5F073AA53
, 5F073AA74
, 5F073AA86
, 5F073AA87
, 5F073AA89
, 5F073BA06
, 5F073CA05
, 5F073CA14
, 5F073CB02
, 5F073CB10
, 5F073DA13
, 5F073DA15
, 5F073DA16
, 5F073DA22
, 5F073DA27
, 5F073DA32
, 5F073DA35
, 5F073EA24
, 5F073EA29
