特許
J-GLOBAL ID：200903039451384405
磁気抵抗効果素子センサと、これを使用するポテンショメータ並びにエンコーダ、及び磁気抵抗効果素子センサの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
野▲崎▼ 照夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-215183
公開番号（公開出願番号）：特開2000-049401
出願日： 1998年07月30日
公開日（公表日）： 2000年02月18日
要約：
【要約】【課題】 磁気抵抗効果素子の反強磁性層にNiMn合金などを使用した場合にあっては、成膜後、磁場中熱処理を施さないと、前記磁気抵抗効果素子の固定磁性層をある一定方向に磁化することができない。このため、基板上に複数個の磁気抵抗効果素子を成膜し、各磁気抵抗効果素子の固定磁性層を異なる方向に磁化したくても、NiMn合金などを使用すると熱処理を施すことにより、全ての固定磁性層が同一方向に向き、適正な磁化制御を行うことが不可能である。【解決手段】 基板30上に4個の磁気抵抗効果素子31,32,33,34を成膜し、各磁気抵抗効果素子を接続する。前記磁気抵抗効果素子の反強磁性層にはα-Fe2O3を使用し、固定磁性層の保磁力を増大させている。導線88に電流を流すことにより、各磁気抵抗効果素子の固定磁性層の磁化制御を適正に行うことができる。
請求項（抜粋）：
基板上に、固定磁性層と、外部磁界の影響を受けて磁化方向が変動するフリー磁性層とを有する磁気抵抗効果素子が4個設けられ、この4個の磁気抵抗効果素子のうち2個の磁気抵抗効果素子は、その固定磁性層が同一方向に磁化されて、第1の磁気抵抗効果素子と第4の磁気抵抗効果素子とされ、また残りの2個の磁気抵抗効果素子は、その固定磁性層が、前記第1と第4の磁気抵抗効果素子の固定磁性層と逆向きに磁化されて、第2の磁気抵抗効果素子と第3の磁気抵抗効果素子とされており、前記第1の磁気抵抗効果素子と第2の磁気抵抗効果素子、及び第3の磁気抵抗効果素子と第4の磁気抵抗効果素子が、磁気抵抗効果素子間に、出力部を有して直列に接続された状態で、前記2つの直列回路が並列に接続されており、各直列回路の両端が入力部とされていることを特徴とする磁気抵抗効果素子センサ。
IPC (4件)：
H01L 43/08
, G01D 5/18
, H01L 43/02
, H01L 43/12
H01L 43/08 Z
, G01D 5/18 N
, H01L 43/02 P
, H01L 43/12
2F077AA46
, 2F077JJ01
, 2F077JJ09
, 2F077VV02
, 2F077VV33
