特許
J-GLOBAL ID：200903039452681314
液晶表示装置及びその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-193720
公開番号（公開出願番号）：特開平6-045607
出願日： 1992年07月21日
公開日（公表日）： 1994年02月18日
要約：
【要約】【目的】a-Siにエキシマレーザを照射して結晶性の優れたpoly-Siを形成し、高移動度のTFTを製造すること又、前記poly-Si TFTをアクティブマトリクス基板に適用することで、駆動回路内蔵型TFT-LCD,高精細TFT-LCDを実現することを目的とする。【構成】プラズマCVD法により、SiH4 及びB2H6及びPH3 を原料ガスとして、B及びPを微量含んだa-Siを形成する。不純物を含んだa-Siは結晶化しやすく、エキシマレーザを下地膜に熱ダメージを与えない低エネルギーで照射しても結晶性の優れたpoly-Siが得られる。従って、前記poly-SiをTFTの半導体層に適用することで、高移動度のTFTが製造でき、駆動回路内蔵型TFT-LCD,高精細TFT-LCDを製造することができる。
請求項（抜粋）：
絶縁性基板上にゲート電極,ゲート絶縁膜,チャネル層,n型不純物層及びソース・ドレイン電極を構成要素とする複数の薄膜トランジスタをスイッチング素子として具備した液晶表示装置において、前記チャネル層がp型及びn型の不純物を含む薄膜多結晶シリコンで構成され、かつ、前記薄膜多結晶シリコンの導電型がp型であることを特徴とする液晶表示装置。
IPC (2件)：
H01L 29/784
, G02F 1/136 500
