特許
J-GLOBAL ID：200903039454594850
メモリ素子およびその製造方法、ならびに電子素子
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
藤島 洋一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-080120
公開番号（公開出願番号）：特開2004-288930
出願日： 2003年03月24日
公開日（公表日）： 2004年10月14日
要約：
【課題】簡素な構成で、製造プロセスあるいは大規模集積化が容易なメモリ素子およびその製造方法、ならびに電子素子を提供する。【解決手段】複数のフラーレン系炭素分子11が二次元配置され、その間が絶縁膜12により固定されている。すべてのフラーレン系炭素分子11がオフ状態(電荷無し)となっている状態から、特定のフラーレン系炭素分子11をオン状態(電荷有り)とすることにより書き込みを行う。書き込みは、例えば、STMを用いて、特定のフラーレン系炭素分子11に選択的に電圧を印加し、フラーレン系炭素分子11に選択的に電荷を注入することにより行う。また、例えばSTSあるいはKFMを用いて、各フラーレン系炭素分子11の電位面を計測することにより読み出しを行う。【選択図】 図4
請求項（抜粋）：
複数のフラーレン系炭素分子と、
前記複数のフラーレン系炭素分子を固定すると共に相互に絶縁分離する絶縁膜と
を備えたことを特徴とするメモリ素子。
IPC (3件)：
H01L27/10
, H01L29/06
, H01L29/66
H01L27/10 451
, H01L29/06 601N
, H01L29/66 S
, H01L29/66 T
