特許

J-GLOBAL ID：200903039458976820

ヘテロ接合バイポーラトランジスタ及びその製造方法

発明者： 佐々木 晶
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 外川 英明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-274002
公開番号（公開出願番号）：特開2001-102389
出願日： 1999年09月28日
公開日（公表日）： 2001年04月13日
要約：

【要約】【課題】 GaAsベース層とInGaP真性エミッタ層を連続成長するために、InGaP真性エミッタ層を500°C台の低温で成長しても、InGaP真性エミッタ層中の再結合中心濃度を増加させないことで、電流利得βが高いHBTを提供することを目的とする。【解決手段】 半導体基板101上に形成されるコレクタ層103と、前記コレクタ層上に形成され、炭素を含有するベース層104と、前記ベース層上に形成されたエミッタ層を有し、前記エミッタ層の真性領域105にはテルルが含有されることを特徴とするヘテロ接合バイポーラトランジスタ。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に形成されるコレクタ層と、前記コレクタ層上に形成され、炭素を含有するベース層と、前記ベース層上に形成されたエミッタ層を有し、前記エミッタ層の真性領域にはテルルが含有されることを特徴とするヘテロ接合バイポーラトランジスタ。

IPC (3件)：

H01L 21/331 ,  H01L 29/73 ,  H01L 29/205

FI (2件)：

H01L 29/72 ,  H01L 29/205

Fターム (9件)：

5F003BA92 ,  5F003BF05 ,  5F003BH08 ,  5F003BH99 ,  5F003BM02 ,  5F003BM03 ,  5F003BP12 ,  5F003BP32 ,  5F003BP95