特許

J-GLOBAL ID：200903039461791041

スパッタリング用基板およびその製造方法

発明者： 藤本 清二 ,  横山 正和
出願人/特許権者： 住友化学工業株式会社
代理人 (1件)： 深井 敏和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-305135
公開番号（公開出願番号）：特開2001-123263
出願日： 1999年10月27日
公開日（公表日）： 2001年05月08日
要約：

【要約】【課題】 膜との密着性が向上したスパッタリング用基板およびその製造方法を提供することである。【解決手段】絶縁基板上にハードコート層を設けたスパッタリング用基板であって、ハードコート層表面のX線光電子分光法による炭素-炭素結合ピーク値が50000〜75000c/sであることを特徴とする。この基板は、不活性ガスを導入した高真空室1内のカソード3とアノード4間に450〜2000Vの電圧を印加してグロー放電を起こさせ、このグロー放電の陽光柱7内に被処理基板2を20〜60秒間滞留させて表面のハードコート層をプラズマ処理することによって得られる。

請求項（抜粋）：

絶縁基板上にハードコート層を設けたスパッタリング用基板において、前記ハードコート層表面のX線光電子分光法による炭素-炭素結合ピーク値が50000〜75000c/sであることを特徴とするスパッタリング用基板。

IPC (2件)：

C23C 14/02 ,  C23C 14/34

FI (2件)：

C23C 14/02 A ,  C23C 14/34 H

Fターム (5件)：

4K029AA11 ,  4K029BC07 ,  4K029BD08 ,  4K029FA01 ,  4K029FA05