特許
J-GLOBAL ID：200903039469495972
半導体レーザおよびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-255169
公開番号（公開出願番号）：特開平5-095161
出願日： 1991年10月02日
公開日（公表日）： 1993年04月16日
要約：
【要約】【目的】 分布帰還型半導体レーザに関するもので、特にグレーティングにλ/4シフト構造を作製することなしに安定した単一モード発振が得られ、さらにサイドモード抑圧比を最大とすることができるグーティング形状を提供するものであり、片端面反射コーティングによる高光出力化を実現した半導体レーザの構造および製造方法を提供するものである。【構成】 n-InP基板1上に、異なる周期を持つ分布帰還型回折格子2と4を形成したInGaAsP(λ=1.3μm)導波路層5、InGaAsP(λ=1.55μm)活性層6、p-n-pInP埋め込み層7、p-InGaAsP(λ=1.3μm)キャップ層8、蒸着によりAu/Znp側電極9、Au-Sn n側電極10よりなる。最後に多層反射膜11、無反射膜12を堆積しレーザ構造を得る。
請求項（抜粋）：
活性層および活性層に隣接する導波路層からなるレーザ共振器構造において、周期の異なる回折格子が前記導波路層表面および裏面に分布帰還型回折格子が集積化されており、導波路表面および裏面に形成された複合回折格子の周期の差が表面または裏面の回折格子のみを用いて作製した分布帰還型レーザのストップバンド幅に対応することを特徴とする半導体レーザ。
引用特許：
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