特許
J-GLOBAL ID：200903039480228447
光変調器及びその製造方法、並びに変調器集積型半導体レーザ及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
早瀬 憲一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-314386
公開番号（公開出願番号）：特開平10-153756
出願日： 1996年11月26日
公開日（公表日）： 1998年06月09日
要約：
【要約】【課題】 光変調器において、変調器動作およびワイヤボンド作業性に悪影響を与えることなく、その構造上生ずることとなる容量成分を小さくする。【解決手段】 その基板1を、半絶縁性半導体材料であるFe-InPから構成するとともに、該基板1にその表面側から裏面側に達する貫通溝1aを形成し、該基板の裏面側に形成したカソード電極(基板側コンタクト電極)10を、該基板の貫通溝1aを介して、基板上に形成された光導波路101aと電気的に接続するようにした。
請求項（抜粋）：
半絶縁性半導体材料から構成され、所定領域にその表面からその裏面に達する基板貫通部を有する基板と、該基板の所定領域上に配置され、半導体層からなる光導波路と、該基板上の、該光導波路両側に形成され、電流をブロックする埋込み層と、該埋込み層及び光導波路上にコンタクト層を介して配置された表面電極と、該基板の裏面側に配設され、上記基板貫通部を介して上記光導波路を構成する半導体層と電気的に接続された基板側コンタクト電極とを備え、上記両電極への印加電圧により、該光導波路内を伝搬する光の強度を変調することを特徴とする光変調器。
IPC (2件)：
FI (2件)：
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