特許

J-GLOBAL ID：200903039480253638

半導体基板の製造方法

発明者： 松井 正樹 ,  山内 庄一 ,  大島 久純
出願人/特許権者： 株式会社デンソー
代理人 (1件)： 佐藤 強
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-231188
公開番号（公開出願番号）：特開平11-074208
出願日： 1997年08月27日
公開日（公表日）： 1999年03月16日
要約：

【要約】【課題】 高エネルギー出力のイオン注入装置を用いずに厚膜の半導体層を備えた半導体基板を形成する。【解決手段】 半導体層用基板にエッチングにより剥離用溝としての素子分離溝を形成し(P1)、その表面を熱酸化して酸化膜を形成する(P2)。素子分離溝の底面にイオン注入をして選択的にイオン注入層を形成する(P3)。酸化膜を形成(P4)した支持基板と貼り合わせて(P5)、熱処理を行なうことにより剥離を行なう(P6)。このとき、イオン注入層部分に欠陥が集中して剥離が起こると、その面内のイオン注入層が形成されていない他の領域においても剥離が誘発されて全体がその面で剥離される。剥離面を研磨により平滑化して半導体基板を得る。半導体層の膜厚を厚く形成でき、イオン注入によるダメージを無くすことができる。

請求項（抜粋）：

支持基板(2)上に絶縁状態で素子形成用の半導体層(4)を設けてなる半導体基板(1,10)の製造方法において、前記半導体層(4)を形成するための半導体層用基板(6)に対してその半導体層(4)の膜厚に対応した深さ寸法の剥離用溝(7)を形成する溝形成工程(P1,S2)と、前記半導体層用基板(6)に形成した前記剥離用溝(7)の内底面部に選択的にイオン注入を行なって剥離用のイオン注入層(9)を形成するイオン注入層形成工程(P3,S3)と、前記イオン注入層(9)を形成した前記半導体層用基板(6)に前記支持基板(2)を貼り合わせる貼り合わせ工程(P5,S6)と、貼り合わせた前記半導体層用基板(6)および前記支持基板(2)を熱処理して前記イオン注入層(9)部分を含む面で剥離することにより前記支持基板(2)上に前記半導体層(4)を形成する剥離工程(P6,S7)とを含んでなる半導体基板の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/265 ,  H01L 21/762 ,  H01L 27/12

FI (4件)：

H01L 21/265 Q ,  H01L 27/12 B ,  H01L 27/12 F ,  H01L 21/76 D