特許

J-GLOBAL ID：200903039484770963

ビームスプリッタおよびこれを具備する複合光学素子、光学ピックアップ装置および光記録再生装置

発明者： 目々澤 聡彦
出願人/特許権者： ソニー株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-245941
公開番号（公開出願番号）：特開2000-076685
出願日： 1998年08月31日
公開日（公表日）： 2000年03月14日
要約：

【要約】【課題】 光吸収ロス、入射角度依存性、偏光分離差が何れも小且つ高反射率なビームスプリッタ膜形成面を有するビームスプリッタ、光記録媒体の高密度大容量化に対応する複合光学素子、光学ピックアップ装置、光記録再生装置の提供。【解決手段】 ビームスプリッタ膜形成面3aに形成されたハーフミラー膜2の第1〜20層膜2a〜2tが、第1,5,11,15,19層膜2a,2e,2k,2o,2sを例えば屈折率2.32のTiO2 膜、第2,4,6,8,10,12,14,16,18,20層膜2b,2d,2f,2h,2j,2l,2n,2p,2r,2tを例えば屈折率1.63のAl2 O3 膜、第3,7,9,13,17層膜2c,2g,2i,2m,2qを例えば屈折率1.46のSiO2 膜とする。

請求項（抜粋）：

少なくとも、入射光の光軸に対してほぼ45度の斜面にビームスプリッタ膜が形成されているビームスプリッタにおいて、前記ビームスプリッタ膜が、屈折率がほぼ2.30である第1層膜と、前記第1層膜上に形成されるとともに、屈折率がほぼ1.63である第2層膜と、前記第2層膜上に形成されるとともに、屈折率がほぼ1.46である第3層膜と、前記第3層膜上に形成されるとともに、屈折率がほぼ1.63である第4層膜と、前記第4層膜上に形成されるとともに、屈折率がほぼ2.30である第5層膜と、前記第5層膜上に形成されるとともに、屈折率がほぼ1.63である第6層膜と、前記第6層膜上に形成されるとともに、屈折率がほぼ1.46である第7層膜と、前記第7層膜上に形成されるとともに、屈折率がほぼ1.63である第8層膜と、前記第8層膜上に形成されるとともに、屈折率がほぼ1.46である第9層膜と、前記第9層膜上に形成されるとともに、屈折率がほぼ1.63である第10層膜と、前記第10層膜上に形成されるとともに、屈折率がほぼ2.30である第11層膜と、前記第11層膜上に形成されるとともに、屈折率がほぼ1.63である第12層膜と、前記第12層膜上に形成されるとともに、屈折率がほぼ1.46である第13層膜と、前記第13層膜上に形成されるとともに、屈折率がほぼ1.63である第14層膜と、前記第14層膜上に形成されるとともに、屈折率がほぼ2.30である第15層膜と、前記第15層膜上に形成されるとともに、屈折率がほぼ1.63である第16層膜と、前記第16層膜上に形成されるとともに、屈折率がほぼ1.46である第17層膜と、前記第17層膜上に形成されるとともに、屈折率がほぼ1.63である第18層膜と、前記第18層膜上に形成されるとともに、屈折率がほぼ2.30である第19層膜と、前記第19層膜上に形成されるとともに、屈折率がほぼ1.63である第20層膜とを有することを特徴とするビームスプリッタ。

IPC (2件)：

G11B 7/135 ,  G11B 7/12

FI (2件)：

G11B 7/135 A ,  G11B 7/12

Fターム (6件)：

5D119AA22 ,  5D119AA43 ,  5D119DA01 ,  5D119DA05 ,  5D119JA25 ,  5D119JB03