特許

J-GLOBAL ID：200903039485276580

液晶ディスプレイ

発明者： ウィレム・デン・ボーエル ,  ティエール・グ
出願人/特許権者： オーアイエス・オプティカル・イメージング・システムズ・インコーポレイティド
代理人 (1件)： 小島 高城郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-166944
公開番号（公開出願番号）：特開平9-022028
出願日： 1996年06月06日
公開日（公表日）： 1997年01月21日
要約：

【要約】【課題】 ピクセル口径比(開口率)を増大し、静電容量性クロストークを減少させたTFTアレイ、およびそのTFTアレイを有するアクティブ・マトリックス方式の液晶ディスプレイ、および製造方法を提供すること。【解決手段】 複数のコンタクト・バイアスあるいは開口部を有するフォトイメージ形成型絶縁層をアドレス線とピクセル電極間に設け、両者を重複可能とする。この絶縁層により静電容量性クロストークを減少し、かつピクセル開口率を増加させる。望ましい一実施例では、クロストークを減少するために絶縁層の誘電率は約3.0未満である。

請求項（抜粋）：

高口径比を有する液晶ディスプレイであって、A)第一基板、第二基板と、B)上記第一基板と第二基板間に挟まれた液晶層と、C)上記第一基板上に設けられかつ複数のアドレス線を接続させた薄膜トランジスタ(TFT)のアレイと、D)上記第一基板上に設けられかつ実質的に透明なピクセル電極のアレイであって、該ピクセル電極のアレイ中の複数の該ピクセル電極が少なくとも1つの上記アドレスラインと重なることにより上記液晶ディスプレイのピクセル口径比を増大させるピクセル電極のアレイと、E)上記TFTのソース電極と重複する領域および隣接する領域に少なくともある上記アドレス線と上記ピクセル電極間の上記第一基板上に設けたフォトイメージ形成型絶縁層とを有し、F)上記フォトイメージ形成型絶縁層はフォトイメージ形成により上記絶縁層内に形成されたコンタクト・バイアスの第一グループを有し、上記ピクセル電極は上記絶縁層に形成された上記第一グループのコンタクト・バイアスを介して対応のTFTソース電極と電気的に接続したものから構成することを特徴とする、高口径比を有する液晶ディスプレイ。

IPC (4件)：

G02F 1/136 500 ,  G02F 1/1343 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (3件)：

G02F 1/136 500 ,  G02F 1/1343 ,  H01L 29/78 612 Z

引用特許：

審査官引用 (3件)

• アクティブマトリクス基板
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-347349   出願人：ソニー株式会社
• 特開平4-307520
  
• 特開昭62-036687