特許
J-GLOBAL ID：200903039486252005
位相シフトマスクおよびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-240803
公開番号（公開出願番号）：特開平5-080490
出願日： 1991年09月20日
公開日（公表日）： 1993年04月02日
要約：
【要約】【目的】シフタのドライエッチングの終点を容易に得ることができるようにすると共に、電子線描画の工程においてチャージアップ現象を防ぎ、その結果シフタの厚さのバラつきを低減し位相をずらす効果を最大限に生かすことのでき、かつ重ね合わせ描画が良好な位相シフトマスクとそれを安定して製造する方法を提供する。【構成】遮光層パターンが形成された基板上に、導電層、エッチングストッパ層、シフタ層、レジストを順次設ける工程、レジストパターンを形成した後、シフタ層をドライエッチングする工程、レジストパターンを剥離する工程、を具備する製造方法により、基板上に、遮光層パターン、導電層、エッチングストッパ層、位相シフタ層パターンを順次形成した位相シフトマスクを製造する。
請求項（抜粋）：
基板上に、遮光層パターン、導電層、エッチングストッパ層、位相シフタ層パターンを順次形成したことを特徴とする位相シフトマスク。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/30 301 P
, H01L 21/30 311 W
