強誘電体型不揮発性半導体メモリ及びその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山本孝久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-229486
公開番号（公開出願番号）：特開2003-046065
出願日： 2001年07月30日
公開日（公表日）： 2003年02月14日
要約：

【要約】【課題】微細な結晶粒の形成が可能である強誘電体型不揮発性半導体メモリの製造方法を提供する。【解決手段】第1の電極21と強誘電体層22と第2の電極23とから成るメモリセルを有する強誘電体型不揮発性半導体メモリの製造方法においては、直鎖系の構造を有する有機金属原料と溶媒との混合液を用いて、スプレー塗布法、スピンコート法又はMOCVD法にて強誘電体前駆体層を形成した後、該強誘電体前駆体層に熱処理を施すことによって、強誘電体層22を得る工程を備え、前記混合液を、直鎖系の構造を有する有機金属原料と溶媒との混合、及び、紫外線照射によって調製する。

請求項（抜粋）：

第1の電極と強誘電体層と第2の電極とから成るメモリセルを有する強誘電体型不揮発性半導体メモリの製造方法であって、直鎖系の構造を有する有機金属原料と溶媒との混合液を用いて、スプレー塗布法、スピンコート法又はMOCVD法にて強誘電体前駆体層を形成した後、該強誘電体前駆体層に熱処理を施すことによって、強誘電体層を得る工程を備え、前記混合液を、直鎖系の構造を有する有機金属原料と溶媒との混合、及び、紫外線照射によって調製することを特徴とする強誘電体型不揮発性半導体メモリの製造方法。

IPC (2件)：

H01L 27/105 , H01L 21/316

FI (5件)：

H01L 21/316 G , H01L 21/316 P , H01L 21/316 X , H01L 27/10 444 B , H01L 27/10 444 Z

Fターム (30件)：

5F058BA11 , 5F058BD02 , 5F058BD04 , 5F058BD05 , 5F058BD07 , 5F058BD10 , 5F058BF02 , 5F058BF06 , 5F058BF27 , 5F058BF29 , 5F058BF46 , 5F058BF52 , 5F058BH03 , 5F058BH12 , 5F083FR01 , 5F083FR02 , 5F083FR10 , 5F083JA17 , 5F083JA37 , 5F083JA38 , 5F083JA39 , 5F083JA40 , 5F083JA43 , 5F083JA53 , 5F083MA06 , 5F083MA17 , 5F083NA08 , 5F083PR21 , 5F083PR23 , 5F083PR34

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