半導体集積回路装置

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-253995
公開番号（公開出願番号）：特開2000-091505
出願日： 1998年09月08日
公開日（公表日）： 2000年03月31日
要約：

【要約】【課題】読み出し電圧と、記憶データに対応したヒューズセルのしきい値電圧との差を、電源の電圧変動や温度変動に係わらずに大きく保てる半導体集積回路装置を提供すること。【解決手段】ヒューズセルFCを含むヒューズセル回路4と、ヒューズセルFCに記憶されたデータを読み出すヒューズセル制御回路3と、昇圧電圧VDDPを発生する昇圧回路1と、参照電圧Vref を使用して、昇圧電圧VDDPをヒューズセルFCからデータを読み出すときに使用される読み出し電圧VDDRに変換する電圧変換回路2とを具備する。そして、参照電圧Vref を、ヒューズセルFCと同一構造を有した基準セルREFCのしきい値電圧を利用して発生させることを特徴としている。

請求項（抜粋）：

ヒューズセルを含むヒューズセル回路と、前記ヒューズセルからデータを読み出すヒューズセル制御回路と、参照電圧を使用して、所定の入力電圧を前記ヒューズセルからデータを読み出すときに使用される読み出し電圧に変換する電圧変換回路と、前記参照電圧を、前記ヒューズセルと同一構造を有した素子のしきい値電圧を利用して発生させる参照電圧発生回路とを具備することを特徴とする半導体集積回路装置。

IPC (6件)：

H01L 27/04 , H01L 21/822 , G11C 11/413 , G11C 16/06 , G11C 29/00 603 , H01L 21/82

FI (5件)：

H01L 27/04 B , G11C 29/00 603 J , G11C 11/34 341 C , G11C 17/00 632 Z , H01L 21/82 F

Fターム (44件)：

5B015HH01 , 5B015HH03 , 5B015JJ41 , 5B015JJ44 , 5B015KB63 , 5B015KB64 , 5B015KB65 , 5B015KB91 , 5B015KB92 , 5B015NN09 , 5B015QQ15 , 5B015QQ16 , 5B025AA01 , 5B025AB01 , 5B025AC01 , 5B025AD09 , 5B025AE08 , 5F038AV15 , 5F038BB02 , 5F038BB04 , 5F038BB05 , 5F038BB08 , 5F038BG02 , 5F038BG03 , 5F038BG05 , 5F038BG06 , 5F038DF01 , 5F038DF05 , 5F038DF12 , 5F038EZ20 , 5F064BB07 , 5F064BB14 , 5F064BB19 , 5F064BB24 , 5F064BB40 , 5F064CC12 , 5F064CC21 , 5F064CC22 , 5F064CC23 , 5F064DD36 , 5L106AA10 , 5L106CC09 , 5L106FF08 , 5L106GG07

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開平3-235297
半導体記憶装置のデータバス構成
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-337632 出願人：日本電気アイシーマイコンシステム株式会社
半導体集積回路の内部電圧発生装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-138659 出願人：三菱電機株式会社

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